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　　金属屏蔽金属屏蔽的作用：1）形成工作电场的低压电极，部有毛时也会形成电场强度很大的情况，因此，也要力图使导体表面尽量到光滑圆整。2）电容电流及故障电流的通路，因此也有一定的截面要求。半导电屏蔽层半导电屏蔽层是中高压电缆采用的一项改善金属电极表面电场分布，同时绝缘表面耐电强度的重要措施。

长期面向 高价：废铜线，电线电缆，电缆，电线，废铝线，废旧电缆，通讯电缆，二手电缆，电力电缆，架空铝线，光伏电缆，矿用电缆，特种电缆，工地电缆，绝缘铝导线，海底电缆，风力电缆，钢芯铝绞线，库存积压废旧电缆，高压、低压废旧电缆，工程剩余电缆，车辆拆除废电缆线，进口电缆，废铜，62黄铜，64黄铜，65黄铜，结晶器铜管，风口铜套，中冷器铜管，铝合金门窗，铝板边料，铝板，铝锭，铝导线，废变压器，整流变压器，干式变压器，箱式变压器，电炉变压器，进口变压器，除尘变压器，废铝，黄铜，紫铜，废铜收购。

为什么回路电流走零线不走地线，而漏电流走地线不走零线，零线地线原理是什么？这是由配电系统的接线方式决定的。~为三相五线制接线示意图。以L1相、单相设备为例。三相变压器次级线圈产生的交流电压，经L1相线圈首端(火线)L1线单相设备零线(N)回到线圈末端，形成回路，满足了产生电流的必要条件，即有电源和闭合回路，因而产生了工作电流，使设备正常工作。~为带漏电保护空。再来看看保护地线(PE)的接法。从图可见，在变压器端零线(N)和保护地线(PE)接法没有不同，但在设备端就完全不同了，它只接金属外壳或其它与火线和零线都绝缘的导电金属部分，因此正常情况下，保护地线(PE)与电源之间没有形成回路，因而也就没有电流。电容容量的测量方法如下图方框所示，将指针打到电容档（F档）在数字万用表的档位左下方有两个孔，上面写的是Cx，把需要测的电容原件插到里面就可以测了，要是有极性的电容要注意正负极电容（或电容量,Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为C，单位是法拉（F），表征电容器容纳电荷本领的物理量。1 μF)1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)如何判断电容的好坏？用指针式万用表欧姆档（档位随电容量调节），先对电容放电，然后两表笔触碰电容两引脚，此时表指针会快速摆动并迅速回到起始位置，反过来再触碰指针会摆到更远位置并快速回头到原来位置。举例来说,你需要控制10个电机，它们的属性都是基本相同的：如“正转(BOOL)”、“反转(BOOL)”、“速度（INT)”、“加速度(INT)”、“减速度(INT)”等，如果程序中你需要用到这些属性，那么你可能需要为10个电机都建立这些变量，如果是单独建立，你就需要建立10*5=50个变量；如果你用UDT来，那就简单多了：先定义一个UDT，名字是MOTOR,里面添加上面所说的2个BOOL变量和3个INT变量（当然有需要可以添加其它数据类型的变量），然后建一个DB块，在里面建立10个变量M1~M10，数据类型就是MOTOR，保存后你会发现这10个变量都包括以上的几个属性，这样你就可以直接在程序中使用了。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。