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场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。目前的电子产品，基本都是以单片机为核心，再根据不通的需求，围绕单片机搭建不通的外设电路。在设计电路时，就要考虑好方案是不是利于编程。硬件的学习，也要从基本的电路始，如LED灯电路的设计、继电器电路的设计、蜂鸣器电路的设计、数码管电路的设计、RS232/RS485电路的设计等，虽然都是独立的模块，但是可以通过编程到一起，这也是先学编程后学习设计电路的原因。学习项目学习单片机是为了产品。在学习阶段可能没有参与项目的机会。反之越白、越接近亮黄色，代表杂质越多。导体的好与坏，直接影响了产品的阻燃性、导电性、耐热性等——总体来说，就是影响安全性。功能额定电流选购插座时，需要选择插座的额定电流。一般只有两种规格——10A和16A——五孔插座使用10A，三孔插座使用16A。红线处标注了插座的额定电流和电压但是也有16A的五孔插座——这里有必要多说一句：不是都说五孔插座的两脚插头和三脚插头不能同时插上，比较反人类吗？。现在市场上已经出现了可以同时插的插座了（加大孔距或将两孔三孔错位），这种插座在使用时容易造成过载，因此建议购16A的。在变频控制中，目前常用的是三相逆变桥，就像下面的图中一样。三相逆变桥中的U1,U2,V1,V2,W1,W2是控制6个IGBT的驱动信号；而三相逆变桥U,V,W分别接电机的三相绕组的引出端；三相逆变桥的工作原理这里简单介绍一下，逆变桥的上端接的是直流电压的正端，下端接的是直流电压的负端，这里该直流电压为VDC。三相桥由三个桥臂组成，如上图中U1,U2控制的IGBT组成一个桥臂；V1,V2控制的IGBT组成第二个桥臂；W1,VW2控制的IGBT组成第三个桥臂；所以当U1是高电平，且U2是低电平时，上臂的IGBT通，下臂的IGBT关断，这样的话电机的U相对逆变桥的负端电压就约为该逆变桥的直流电压值，即为VDC。倒车雷达传感器俗称探头，在后杠上，包括左、左中、右中、右传感器，由外向内嵌入式，如下图所示。各传感器的位置都有规定，不能装错，否则可能引起误报。工作原理倒车雷达系统就是利用超声波信号，经倒车雷达主机内微电脑的控制，再从探头的发射与接收信号过程中，比对信号折返时间而计算出障碍物距离，然后由报器发出不同的报声。与障碍物的距离＝发收时间差×声速/2。当车辆挂到倒车挡时，倒车雷达ECU使用超声波传感器监控后杆周围的区域，如果监控区域内检测到物体，仪表组件内的声音报装置就会发出声音告。